Altering the Schottky Barrier Height and Conductance by Using Metal Nanoparticles in Carbon Nanotubes-Based Devices

In this paper, we propose a novel technique to overcome the conductance limitation in metal contacted single-walled carbon nanotubes (SWNTs)-based devices using metal nanoparticles (MNPs). Schottky barrier (SB) height at metal-SWNTs contact is believed to be the major contributor for this conductanc...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:IEEE transactions on electron devices 2019-06, Vol.66 (6), p.2789-2794
Hauptverfasser: Kumar, Narendra, Navani, Naveen Kumar, Manhas, S. K.
Format: Artikel
Sprache:eng
Schlagworte:
Online-Zugang:Volltext bestellen
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!