Altering the Schottky Barrier Height and Conductance by Using Metal Nanoparticles in Carbon Nanotubes-Based Devices
In this paper, we propose a novel technique to overcome the conductance limitation in metal contacted single-walled carbon nanotubes (SWNTs)-based devices using metal nanoparticles (MNPs). Schottky barrier (SB) height at metal-SWNTs contact is believed to be the major contributor for this conductanc...
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Veröffentlicht in: | IEEE transactions on electron devices 2019-06, Vol.66 (6), p.2789-2794 |
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Hauptverfasser: | , , |
Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
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