Electro-Thermal Annealing Method for Recovery of Cyclic Bending Stress in Flexible a-IGZO TFTs
Amorphous In-Ga-Zn-O (a-IGZO) thin-film transistors (TFTs) fabricated by low-temperature processes on a flexible substrate can easily be degraded by mechanical deformation. Furthermore, lower performance in terms of the initial characteristics and reliability levels compared to those fabricated on g...
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Veröffentlicht in: | IEEE transactions on electron devices 2017-08, Vol.64 (8), p.3189-3192 |
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Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
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