$A Charge-Trapping Model for the Fast Component of Positive Bias Temperature Instability (PBTI) in High- \kappa Gate-Stacks$

A Charge-Trapping Model for the Fast Component of Positive Bias Temperature Instability (PBTI) in High- \kappa Gate-Stacks

We propose a physical model for the fast component (

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE transactions on electron devices 2014-07, Vol.61 (7), p.2287-2293
Hauptverfasser:	Vandelli, Luca, Larcher, Luca, Veksler, Dmitry, Padovani, Andrea, Bersuker, Gennadi, Matthews, Kenneth
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Charge trapping device modeling Electron traps Hafnium compounds high-κ dielectric Logic gates positive bias temperature instability (PBTI) Stress Transient analysis Voltage measurement
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