$hbox\hbox Core-Shell Nanowire Tunneling Field-Effect Transistors$

hbox\hbox Core-Shell Nanowire Tunneling Field-Effect Transistors

We report the fabrication and experimental investigation of Ge-Si x Ge 1- x core-shell nanowire (NW) tunneling field-effect transistors (TFETs), consisting of p-i-n device structures realized by low-energy ion implantation. We investigate the NW TFET device characteristics as a function of drain dop...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE transactions on electron devices 2010-08, Vol.57 (8), p.1883-1888
Hauptverfasser:	Junghyo Nah, En-Shao Liu, Varahramyan, Kamran M, Tutuc, Emanuel
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Core-shell Doping FETs Junctions Logic gates nanowire (NW) silicon-germanium Temperature measurement Tunneling tunneling field-effect transistor (TFET)
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