$Impact of STI Effect on Flicker Noise in 0.13- \mu \hbox RF nMOSFETs$

Impact of STI Effect on Flicker Noise in 0.13- \mu \hbox RF nMOSFETs

This paper reports on the impact of shallow-trench isolation (STI) on flicker noise characteristics in 0.13-mum RF nMOSFETs. The drain noise current spectral density was measured in both triode and saturation regions for a more complete study. The devices with a relatively small finger width and a l...

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Veröffentlicht in:	IEEE transactions on electron devices 2007, Vol.54 (12), p.3383-3392
Hauptverfasser:	Chih-Yuan Chan, Yu-Syuan Lin, Yen-Chun Huang, Hsu, S.S.H., Ying-Zong Juang
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Flicker noise Low-frequency noise MOSFET MOSFETs Noise shallow-trench isolation (STI) stress
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