Sensitivity of double-gate and finfet devices to process variations

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	IEEE transactions on electron devices 2003-11, Vol.50 (11), p.2255-2261
Hauptverfasser:	Shiying Xiong, Bokor, J.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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