STT-MRAM Sensing: A Review

This brief presents a review of developments in spin-transfer-torque magnetoresistive random access memory (STT-MRAM) sensing over the past 20 years from a circuit design perspective. Various sensing schemes are categorized and described according to the data-cell variation-tolerant characteristics,...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE transactions on circuits and systems. II, Express briefs Express briefs, 2021-01, Vol.68 (1), p.12-18
Hauptverfasser:	Na, Taehui, Kang, Seung H., Jung, Seong-Ook
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Arrays Circuit design Junctions Magnetic tunnel junction Magnetic tunneling Magnetoresistivity offset tolerance Phase change random access memory Random access memory read disturbance read yield reference scheme Resistance sense amplifier sensing circuit Sensors spin-transfer-torque MRAM yield estimation
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