Ultrahigh Gain at Low Bias Achieved in Homoepitaxial Ga 2 O 3 Schottky Photodiode With Low Dark Current

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE electron device letters 2025-02, Vol.46 (2), p.143-146
Hauptverfasser:	Zheng, Zhenjie, Lu, Yaoping, Zhuang, Jiachang, Jia, Lemin, Zhu, Shoudong, Chen, Duanyang, Qi, Hongji, Li, Titao, Zhang, Haizhong, Lu, Xiaoqiang
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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