High V TH and Improved Gate Reliability in P-GaN Gate HEMTs With Oxidation Interlayer

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	IEEE electron device letters 2023-09, Vol.44 (9), p.1404-1407
Hauptverfasser:	Jia, Mao, Hou, Bin, Yang, Ling, Jia, Fuchun, Niu, Xuerui, Du, Jiale, Chang, Qingyuan, Zhang, Meng, Wu, Mei, Zhang, Xinchuang, Lu, Hao, Ma, Xiaohua, Hao, Yue
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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