Low-Temperature Fabrication of High Quality Gate Insulator in Metal-Oxide-Semiconductor Capacitor Using Laser Annealing

This letter reports the fabrication of a high quality gate oxide for metal-oxide-semiconductor field-effect transistors using a continuous-wave blue laser. A thin Zr metal layer was inserted between the dielectric and substrate to increase laser absorption and reduce the interface layer. A simulatio...

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Veröffentlicht in:IEEE electron device letters 2019-02, Vol.40 (2), p.167-170
Hauptverfasser: Yu, Kyoung-Moon, Ji, Hyung-Min, Nguyen, Manh-Cuong, Nguyen, An Hoang-Thuy, Choi, Su-Jin, Cheon, Jong-Gyu, Kim, Jin-Hyun, Kim, Sang-Woo, Cho, Seong-Yong, Choi, Rino
Format: Artikel
Sprache:eng
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