Low-Temperature Fabrication of High Quality Gate Insulator in Metal-Oxide-Semiconductor Capacitor Using Laser Annealing
This letter reports the fabrication of a high quality gate oxide for metal-oxide-semiconductor field-effect transistors using a continuous-wave blue laser. A thin Zr metal layer was inserted between the dielectric and substrate to increase laser absorption and reduce the interface layer. A simulatio...
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Veröffentlicht in: | IEEE electron device letters 2019-02, Vol.40 (2), p.167-170 |
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Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
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