High-Mobility Normally OFF Al 2 O 3 /AlGaN/GaN MISFET With Damage-Free Recessed-Gate Structure

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	IEEE electron device letters 2018-11, Vol.39 (11), p.1720-1723
Hauptverfasser:	Zhang, Jialin, He, Liang, Li, Liuan, Ni, Yiqiang, Que, Taotao, Liu, Zhenxin, Wang, Wenjing, Zheng, Jiexin, Huang, Yanfen, Chen, Jia, Gu, Xin, Zhao, Yawen, He, Lei, Wu, Zhisheng, Liu, Yang
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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