Analysis of Contrasting Degradation Behaviors in Channel and Drift Regions Under Hot Carrier Stress in PDSOI LD N-Channel MOSFETs

This letter studies the effects of hot carrier stress (HCS) in laterally diffused silicon-on-insulator n-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors. After HCS, threshold voltage and subthreshold swing degrade, while the ON-state current exhibits degradation after an abnormal spike du...

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Veröffentlicht in:	IEEE electron device letters 2017-06, Vol.38 (6), p.705-707
Hauptverfasser:	Lin, Chien-Yu, Chang, Ting-Chang, Liu, Kuan-Ju, Chen, Li-Hui, Tsai, Jyun-Yu, Chen, Ching-En, Lu, Ying-Hsin, Liu, Hsi-Wen, Liao, Jih-Chien, Chang, Kuan-Chang
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Degradation Doping Drift Field effect transistors hot carrier stress Hot carriers Impact ionization Ionization Kirk field collapse effect LDMOS MOSFET MOSFETs N-MOSFETs Semiconductor devices SOI Stress Threshold voltage
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