High Mobility High-Ge-Content SiGe PMOSFETs Using Al 2 O 3 /HfO 2 Stacks With In-Situ O 3 Treatment

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	IEEE electron device letters 2017-03, Vol.38 (3), p.303-305
Hauptverfasser:	Ando, Takashi, Hashemi, Pouya, Bruley, John, Rozen, John, Ogawa, Yohei, Koswatta, Siyuranga, Chan, Kevin K., Cartier, Eduard A., Mo, Renee, Narayanan, Vijay
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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