$Nanosecond Polarization Switching and Long Retention in a Novel MFIS-FET Based on Ferroelectric \hbox$

Nanosecond Polarization Switching and Long Retention in a Novel MFIS-FET Based on Ferroelectric \hbox

We report the fabrication of completely CMOS-compatible ferroelectric field-effect transistors (FETs) by stabilization of a ferroelectric phase in 10-nm-thin Si:HfO 2 . The program and erase operation of this metal-ferroelectric-insulator-silicon FET (MFIS) with poly-Si/TiN/Si:HfO 2 /SiO 2 /Si gate...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE electron device letters 2012-02, Vol.33 (2), p.185-187
Hauptverfasser:	Muller, J., Boscke, T. S., Schroder, U., Hoffmann, R., Mikolajick, T., Frey, L.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Capacitors Hafnium compounds Hafnium oxide Logic gates metal-ferroelectric-insulator-semiconductor (MFIS) FET nonvolatile memory Silicon Switches Threshold voltage Transistors
Online-Zugang:	Volltext bestellen
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