$The Role of CuAlO Interface Layer for Switching Behavior of Al/ \hbox\hbox/Cu Memory Device$

The Role of CuAlO Interface Layer for Switching Behavior of Al/ \hbox\hbox/Cu Memory Device

The interface layer between a reactive electrode and switching metal oxide is quite critical to improve the switching characteristics, but the intrinsic roles of this interfacial layer as oxygen reservoir or switching layer are still controversial. In this letter, we investigated the switching behav...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE electron device letters 2010-12, Vol.31 (12), p.1464-1466
Hauptverfasser:	Lv, Hangbing, Tang, Tingao
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Annealing Copper Electrodes Etching Interface MOS devices Plasmas Reactive power resistive switching (RS) RRAM
Online-Zugang:	Volltext bestellen
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