A simulation study to evaluate the feasibility of midgap workfunction metal gates in 25 nm bulk CMOS

The performance of 25 nm metallurgical channel length bulk MOSFETs with midgap workfunction metal gates has been compared with conventional polysilicon gates and bandedge workfunction metal gates. Device design using pocket halo implants was implemented to achieve the required off-state leakage spec...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE electron device letters 2003-11, Vol.24 (11), p.707-709
Hauptverfasser:	Kingsuk Maitra, Misra, V.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Chains Channels CMOS CMOS process CMOS technology Delay effects Delay lines Devices Doping profiles Drains Gates Implants Inverters MOS devices MOSFETs Simulation
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