5.6 Mb/mm ^ 1R1W 8T SRAM Arrays Operating Down to 560 mV Utilizing Small-Signal Sensing With Charge Shared Bitline and Asymmetric Sense Amplifier in 14 nm FinFET CMOS Technology

Multiported high-performance on-die memories occupy significantly more die area than a comparable single-port memory. Among various multiport memory topologies, the 1-read (R), 1-write (W) 8-transistor (T) Static Random Access Memory (SRAM) with a decoupled read port allows separate optimization of...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:IEEE journal of solid-state circuits 2017-01, Vol.52 (1), p.229-239
Hauptverfasser: Kulkarni, Jaydeep P., Keane, John, Kyung-Hoae Koo, Nalam, Satyanand, Zheng Guo, Karl, Eric, Zhang, Kevin
Format: Artikel
Sprache:eng
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