Open-Circuit Voltage Improvement of InAs/GaAs Quantum-Dot Solar Cells Using Reduced InAs Coverage
Ten-, 20-, and 40-layer InAs/GaAs quantum-dot (QD)-embedded superlattice solar cells were compared with a baseline GaAs p-i-n solar cell. Proper strain balancing and a reduction of InAs coverage value in the superlattice region of the QD embedded devices enabled the systematic increase in short-circ...
Gespeichert in:
Veröffentlicht in: | IEEE journal of photovoltaics 2012-07, Vol.2 (3), p.269-275 |
---|---|
Hauptverfasser: | , , , , , , , |
Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
Schlagworte: | |
Online-Zugang: | Volltext bestellen |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Schreiben Sie den ersten Kommentar!