Relating statistical MOSFET model parameter variabilities to IC manufacturing process fluctuations enabling realistic worst case design

The implementation of a viable statistical circuit design methodology requiring detailed knowledge of the variabilities of, and correlations among, the circuit simulator model parameters utilized by designers, and the determination of the important relationships between these CAD model parameter var...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:IEEE transactions on semiconductor manufacturing 1994-08, Vol.7 (3), p.306-318
Hauptverfasser: Power, J.A., Donnellan, B., Mathewson, A., Lane, W.A.
Format: Artikel
Sprache:eng
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