A 20-nm physical gate length NMOSFET featuring 1.2 nm gate oxide, shallow implanted source and drain and BF 2 pockets

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	IEEE electron device letters 2000-04, Vol.21 (4), p.173-175
Hauptverfasser:	Deleonibus, S., Caillat, C., Guegan, G., Heitzmann, M., Nier, M.E., Tedesco, S., Dal'zotto, B., Martin, F., Mur, P., Papon, A.M., Lecarval, G., Biswas, S., Souil, D.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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