Transistor operation of 30-nm gate-length EJ-MOSFETs

We have fabricated electrically variable shallow junction metal-oxide-silicon field-effect transistors (EJ-MOSFET's) to investigate transistor characteristics of ultrafine-gate MOSFET's. By using EB direct writing onto an ultrahigh-resolution negative resist (calixarene), we achieved a gat...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	IEEE electron device letters 1998-03, Vol.19 (3), p.74-76
Hauptverfasser:	Hawaura, H., Sakamoto, T., Baba, T., Ochiai, Y., Fujita, J., Matsui, S., Sone, J.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Degradation Doping FETs MOSFET circuits Project management Research and development management Resists Temperature Voltage Writing
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