Size effects in submicron NiFe/Ag GMR devices
We have measured the magnetoresistive response of submicron NiFe/Ag giant magnetostrictive (GMR) devices as a function of current density and field angle. In addition to magnetostatic broadening, we observe large lumps in the magnetoresistive response (Barkhausen jumps) due to domain switching. Thes...
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Veröffentlicht in: | IEEE transactions on magnetics 1995-11, Vol.31 (6), p.3939-3942 |
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Hauptverfasser: | , , , |
Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
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