Size effects in submicron NiFe/Ag GMR devices

We have measured the magnetoresistive response of submicron NiFe/Ag giant magnetostrictive (GMR) devices as a function of current density and field angle. In addition to magnetostatic broadening, we observe large lumps in the magnetoresistive response (Barkhausen jumps) due to domain switching. Thes...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:IEEE transactions on magnetics 1995-11, Vol.31 (6), p.3939-3942
Hauptverfasser: Russek, S.E., Cross, R.W., Sanders, S.C., Oti, J.O.
Format: Artikel
Sprache:eng
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