Resonant Raman scattering in a zero-gap semiconductor: Interference effects and deformation potentials at the E 1 and E 1 + Δ 1 gaps of HgTe

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Physical review. B, Condensed matter Condensed matter, 1994-05, Vol.49 (19), p.13460-13474
Hauptverfasser:	Rösch, M., Atzmüller, R., Schaack, G., Becker, C. R.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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