Deep-Level Transient Spectroscopy of Ga As Nanoridge Diodes Grown on Si Substrates

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Physical review applied 2020-08, Vol.14 (2), Article 024093
Hauptverfasser:	Syshchyk, O., Hsu, B., Yu, H., Motsnyi, V., Vais, A., Kunert, B., Mols, Y., Alcotte, R., Puybaret, R., Waldron, N., Soussan, P., Boulenc, P., Karve, G., Simoen, E., Collaert, N., Puers, B., Van Hoof, C.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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