Structural and luminescence imaging and characterisation of semiconductors in the scanning electron microscope

The scanning electron microscopy techniques of electron backscatter diffraction (EBSD), electron channelling contrast imaging (ECCI) and cathodoluminescence (CL) hyperspectral imaging provide complementary information on the structural and luminescence properties of materials rapidly and non-destruc...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Semiconductor science and technology 2020-05, Vol.35 (5), p.54001
Hauptverfasser:	Trager-Cowan, C, Alasmari, A, Avis, W, Bruckbauer, J, Edwards, P R, Ferenczi, G, Hourahine, B, Kotzai, A, Kraeusel, S, Kusch, G, Martin, R W, McDermott, R, Naresh-Kumar, G, Nouf-Allehiani, M, Pascal, E, Thomson, D, Vespucci, S, Smith, M D, Parbrook, P J, Enslin, J, Mehnke, F, Kuhn, C, Wernicke, T, Kneissl, M, Hagedorn, S, Knauer, A, Walde, S, Weyers, M, Coulon, P-M, Shields, P A, Bai, J, Gong, Y, Jiu, L, Zhang, Y, Smith, R M, Wang, T, Winkelmann, A
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	EBSD ECCI extended defects nitride SEM
Online-Zugang:	Volltext
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