Increasing threshold voltage and reducing leakage of AlGaN/GaN HEMTs using dual-layer SiN x stressors

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Semiconductor science and technology 2020-04, Vol.35 (4), p.45010
Hauptverfasser:	Cheng, Wei-Chih, He, Minghao, Lei, Siqi, Wang, Liang, Wu, Jingyi, Zeng, Fanming, Hu, Qiaoyu, Wang, Qing, Zhao, Feng, Chan, Mansun, Xia, Guangrui (Maggie), Yu, Hongyu
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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