Trap state characterization of Al 2 O 3 /AlInGaN/GaN metal-insulator-semiconductor heterostructures

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Semiconductor science and technology 2019-05, Vol.34 (5), p.55014
Hauptverfasser:	Biswas, Debaleen, Torii, Naoki, Fujita, Hirotaka, Yoshida, Takahiro, Kubo, Toshiharu, Egawa, Takashi
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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