Chlorine-based inductive coupled plasma etching of α -Ga 2 O 3

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Semiconductor science and technology 2019-03, Vol.34 (3), p.35006
Hauptverfasser:	Jian, Zhe (Ashley), Oshima, Yuichi, Wright, Shawn, Owen, Kevin, Ahmadi, Elaheh
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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