Extremely high frequency Schottky diodes based on single GaN nanowires

Gallium nitride (GaN) is one of the most promising materials for high-frequency devices owing to its prominent material properties. We report on the fabrication and study of a series of Schottky diodes in the ground-signal-ground topology based on individual GaN nanowires. The electrical characteriz...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Nanotechnology 2023-06, Vol.34 (24), p.245204
Hauptverfasser:	Shugurov, K Yu, Mozharov, A M, Fedorov, V V, Blokhin, S A, Neplokh, V V, Mukhin, I S
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	EHF band GaN nanowires Schottky diode
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!