Bottom-up nanoscale patterning and selective deposition on silicon nanowires

We demonstrate a bottom-up process for programming the deposition of coaxial thin films aligned to the underlying dopant profile of semiconductor nanowires. Our process synergistically combines three distinct methods-vapor-liquid-solid nanowire growth, selective coaxial lithography via etching of su...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Nanotechnology 2022-03, Vol.33 (10), p.105604
Hauptverfasser:	Mohabir, Amar T, Aziz, Daniel, Brummer, Amy C, Taylor, Kathleen E, Vogel, Eric M, Filler, Michael A
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	bottom-up nanoelectronic nanowire patterning semiconductor silicon
Online-Zugang:	Volltext
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