Highly dispersed Co deposited on Al 2 O 3 particles via CoCp 2  + H 2 ALD

Highly dispersed cobalt atoms were deposited on porous alumina particles using atomic layer deposition (ALD) with a CoCp /H chemistry at approximately 7 wt%. H did not completely reduce the cyclopentadienyl organic ligands bound to deposited Co atoms at ALD reaction conditions. A sharp decline in Co...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Nanotechnology 2020-04, Vol.31 (17), p.175703
Hauptverfasser: Clary, Jacob M, Van Norman, Staci A, Funke, Hans H, Su, Dong, Musgrave, Charles B, Weimer, Alan W
Format: Artikel
Sprache:eng
Online-Zugang:Volltext
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