Comprehensive study of high pressure annealing on the ferroelectric properties of Hf 0.5 Zr 0.5 O 2 thin films

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Nanotechnology 2019-12, Vol.30 (50), p.505204
Hauptverfasser:	Oh, Changyong, Tewari, Amit, Kim, Kyungkwan, Kumar, Ulayil Sajesh, Shin, Changhwan, Ahn, Minho, Jeon, Sanghun
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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