The effect of barrier layers on 2D electron effective mass in Al 0.3 Ga 0.7 N/AlN/GaN heterostructures

The Shubnikov de Haas (SdH) effect measurements have been performed to evaluate the influence of Si N passivation, a spacer layer, and Si-doped barrier layer on the electronic transport parameters of two-dimensional (2D) electrons in Al Ga N/AlN/GaN heterostructures under temperatures from 1.8 K to...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Journal of physics. Condensed matter 2021-06, Vol.33 (25), p.255501
Hauptverfasser:	Sonmez, F, Ardali, S, Lisesivdin, S B, Malin, T, Mansurov, V, Zhuravlev, K, Tiras, E
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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