The temperature induced current transport characteristics in the orthoferrite YbFeO 3− δ thin film/p-type Si structure

The perovskite ytterbium ferrite is a new ferroelectric semiconductor material. We presented the temperature induced current–voltage ( I – V ) characteristics of the Al/YbFeO 3− δ /p-Si/Al hetero-junction. The orthoferrite YbFeO 3− δ thin films were deposited on a single crystal p-type Si substrate...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Journal of physics. Condensed matter 2021-01, Vol.33 (3), p.35704
Hauptverfasser:	Polat, O, Coskun, M, Efeoglu, H, Caglar, M, Coskun, F M, Caglar, Y, Turut, A
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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