Impact of thermal oxidation uniformity on 150 mm GaAs- and Ge-substrate VCSELs

Vertical cavity surface emitting laser (VCSEL) devices and arrays are increasingly important in meeting the demands of today’s wireless communication and sensing systems. Understanding the origin of non-uniform wet thermal oxidation across large-area VCSEL wafers is a crucial issue to ensure highly...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Journal of physics. D, Applied physics Applied physics, 2023-04, Vol.56 (15), p.154002
Hauptverfasser:	Gillgrass, S J, Allford, C P, Peach, T, Baker, J, Johnson, A D, Davies, J I, Joel, A M, Shutts, S, Smowton, P M
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	GaAs-substrate Ge-substrate thermal oxidation VCSEL wafer bow
Online-Zugang:	Volltext
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