Eu-Mg defects and donor-acceptor pairs in GaN: photodissociation and the excitation transfer problem

We have investigated the temperature-dependent photoluminescence (TDPL) profiles of Eu3+ ions implanted in an HVPE-grown bulk GaN sample doped with Mg and of donor-acceptor pairs (DAP) involving the shallow Mg acceptor in GaN(Mg) (unimplanted) and GaN(Mg):Eu samples. Below 125 K, the TDPL of Eu3+ in...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Journal of physics. D, Applied physics Applied physics, 2018-01, Vol.51 (6), p.65106
Hauptverfasser:	Singh, A K, O'Donnell, K P, Edwards, P R, Lorenz, K, Leach, J H, Bo kowski, M
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	energy transfer gallium nitride photoluminescence rare earth
Online-Zugang:	Volltext
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