Glucose-based resistive random access memory for transient electronics

In this research, glucose was adopted as the switching layer of resistive random access memory (RRAM) for transient electronics. The fabricated glucose-based RRAM showed bipolar switching behavior with stable endurance (100 cycles) and retention (10 4 seconds) characteristics, without significant de...

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Veröffentlicht in:Journal of Information Display 2019, 20(4), , pp.231-237
Hauptverfasser: Park, Sung Pyo, Kim, Hee Jun, Lee, Jin Hyeok, Kim, Hyun Jae
Format: Artikel
Sprache:eng
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