Sub-band-gap surface photovoltage in Si/SiO 2 structures with quasi-continuously distributed interface traps and a deep. In level in the semiconductor bulk

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Philosophical magazine. B, Physics of condensed matter. Structural, electronic, optical, and magnetic properties. Physics of condensed matter. Structural, electronic, optical, and magnetic properties., 1988-06, Vol.57 (6), p.703-713
Hauptverfasser:	Germanova, K., Hardalov, Ch, Gergov, B.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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