Infrared erbium photoluminescence enhancement in silicon carbide nano-pillars

Color centers that emit light at telecommunication wavelengths are promising candidates for future quantum technologies. A pressing challenge for the broad use of these color centers is the typically low collection efficiency from bulk samples. Here, we demonstrate enhancements of the emission colle...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Journal of applied physics 2021-10, Vol.130 (14)
Hauptverfasser:	Parker, R. A., Dontschuk, N., Sato, S.-I., Lew, C. T.-K., Reineck, P., Nadarajah, A., Ohshima, T., Gibson, B. C., Castelletto, S., McCallum, J. C., Johnson, B. C.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied physics Color centers Emission Erbium Ion implantation Photoluminescence Silicon carbide
Online-Zugang:	Volltext
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