Development of a high-performance readout circuit for photoelectric detectors

A high-performance readout circuit for photoelectric detectors is developed in this paper to achieve high-speed low-noise image detection. Here, the W/L ratio of the first-stage P-type following transistor is reduced to decrease the parasitic capacitance of buses, and the bias voltage of the P-type...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:AIP advances 2020-10, Vol.10 (10), p.105026-105026-7
Hauptverfasser: Yuan, Honghui, Chen, Yongping
Format: Artikel
Sprache:eng
Schlagworte:
Online-Zugang:Volltext
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!