Experimental evaluation of low-frequency oscillations in undoped GaAs to probe deep level parameters
A new method for characterizing undoped, semi-insulating GaAs is presented. The low-frequency current oscillations on undoped liquid encapsulated Czochralski GaAs substrates are used to determine deep level energies, cross sections, and concentrations. A Fourier transform is used to resolve the vari...
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Veröffentlicht in: | Applied physics letters 1985-02, Vol.46 (3), p.305-307 |
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Hauptverfasser: | , , |
Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
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Online-Zugang: | Volltext |
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