Experimental evaluation of low-frequency oscillations in undoped GaAs to probe deep level parameters

A new method for characterizing undoped, semi-insulating GaAs is presented. The low-frequency current oscillations on undoped liquid encapsulated Czochralski GaAs substrates are used to determine deep level energies, cross sections, and concentrations. A Fourier transform is used to resolve the vari...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Applied physics letters 1985-02, Vol.46 (3), p.305-307
Hauptverfasser: MARACAS, G. N, JOHNSON, D. A, GORONKIN, H
Format: Artikel
Sprache:eng
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