Seeded and limited seeding regrowth of Si over SiO2 by cw laser annealing

Single-crystal Si sheets (0.2 μm in thickness) of (100) orientation and of maximum dimensions, 100×10 000 μm, have been recrystallized by cw laser annealing of poly crystalline Si films deposited over parallel 3-μm-wide SiO2 bars adjacent to 3-μm Si (100) substrate openings. The recrystallized films...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Applied physics letters 1981-01, Vol.38 (4), p.248-250
Hauptverfasser:	Magee, T. J., Palkuti, L. J., Ormond, R., Leung, C., Graham, S.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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