Segregation and activation of Ga in high Ge content SiGe by UV melt laser anneal

The feasibility of dopant activation surpassing the equilibrium solid solubility limit by using an out of equilibrium melt laser annealing (MLA) process was investigated. To that end, we used an UV excimer nanosecond laser annealing and studied the segregation and activation of dopants in a Ga-impla...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Journal of applied physics 2019-06, Vol.125 (21)
Hauptverfasser:	Tabata, Toshiyuki, Aubin, Joris, Huet, Karim, Mazzamuto, Fulvio
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Activation Activation analysis Applied physics Chemical precipitation Dopants Equilibrium Excimers Germanium Laser beam annealing Lasers Liquid-solid interfaces Morphology Semiconductor devices Silicon germanides Solid solubility Solidification Solids Transistors
Online-Zugang:	Volltext
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