Charge carrier transport and electroluminescence in atomic layer deposited poly-GaN/c-Si heterojunction diodes

In this work, we study the charge carrier transport and electroluminescence (EL) in thin-film polycrystalline (poly-) GaN/c-Si heterojunction diodes realized using a plasma enhanced atomic layer deposition process. The fabricated poly-GaN/p-Si diode with a native oxide at the interface showed a rect...

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Veröffentlicht in:Journal of applied physics 2018-08, Vol.124 (8)
Hauptverfasser: Gupta, Gaurav, Banerjee, Sourish, Dutta, Satadal, Aarnink, Antonius A. I., Schmitz, Jurriaan, Kovalgin, Alexey Y., Hueting, Raymond J. E.
Format: Artikel
Sprache:eng
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