Charge carrier transport and electroluminescence in atomic layer deposited poly-GaN/c-Si heterojunction diodes
In this work, we study the charge carrier transport and electroluminescence (EL) in thin-film polycrystalline (poly-) GaN/c-Si heterojunction diodes realized using a plasma enhanced atomic layer deposition process. The fabricated poly-GaN/p-Si diode with a native oxide at the interface showed a rect...
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Veröffentlicht in: | Journal of applied physics 2018-08, Vol.124 (8) |
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Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
Schlagworte: | |
Online-Zugang: | Volltext |
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