The underlying micro-mechanism of performance enhancement of non-polar n-ZnO/p-AlGaN ultraviolet light emitting diode with i-ZnO inserted layer
Non-polar a-plane n-ZnO/p-AlGaN and n-ZnO/i-ZnO/p-AlGaN heterojunction film light-emitting diodes (LEDs) are fabricated with good crystalline quality. The optical measurements show obvious performance enhancement with i-ZnO layer insertion. Off-axis electron holography reveals a potential drop of ∼1...
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Veröffentlicht in: | Applied physics letters 2018-01, Vol.112 (3) |
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Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
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