The underlying micro-mechanism of performance enhancement of non-polar n-ZnO/p-AlGaN ultraviolet light emitting diode with i-ZnO inserted layer

Non-polar a-plane n-ZnO/p-AlGaN and n-ZnO/i-ZnO/p-AlGaN heterojunction film light-emitting diodes (LEDs) are fabricated with good crystalline quality. The optical measurements show obvious performance enhancement with i-ZnO layer insertion. Off-axis electron holography reveals a potential drop of ∼1...

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Veröffentlicht in:Applied physics letters 2018-01, Vol.112 (3)
Hauptverfasser: Jiang, Fan, Chen, Jingwen, Bi, Han, Li, Luying, Jing, Wenkui, Zhang, Jun, Dai, Jiangnan, Che, Renchao, Chen, Changqing, Gao, Yihua
Format: Artikel
Sprache:eng
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