Surface recombination velocity imaging of wet-cleaned silicon wafers using quantitative heterodyne lock-in carrierography
InGaAs-camera based heterodyne lock-in carrierography (HeLIC) is developed for surface recombination velocity (SRV) imaging characterization of bare (oxide-free) hydrogen passivated Si wafer surfaces. Samples prepared using four different hydrofluoric special-solution etching conditions were tested,...
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Veröffentlicht in: | Applied physics letters 2018-01, Vol.112 (1) |
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Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
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