Black silicon morphologies using conventional RIE processing

We report on the use of conventional non-Bosch, non-cryogenic Reactive Ion Etching (RIE) processing to produce a range of low optical reflection morphologies on silicon wafer. Tapered structures and nano dendritic-pillars are patterned into silicon over a pressure range of 550 - 700 mTorr at various...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	AIP advances 2017-05, Vol.7 (5), p.055115-055115-7
Hauptverfasser:	Chowdhury, Zahidur R., Loh, Joel Y. Y., Pishon, Md. Nishanto Nahid, Kherani, Nazir P.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Antireflection coatings Computer simulation Dendritic structure Ion etching Low pressure Monte Carlo simulation Morphology Optical reflection Pillars Reactive ion etching Reflectance Reflectance curves Refractivity Silicon Silicon wafers
Online-Zugang:	Volltext
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