Highly-mismatched InAs/InSe heterojunction diodes

We report on heterojunction diodes prepared by exfoliation and direct mechanical transfer of a p-type InSe thin film onto an n-type InAs epilayer. We show that despite the different crystal structures and large lattice mismatch (∼34%) of the component layers, the junctions exhibit rectification beha...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Applied physics letters 2016-10, Vol.109 (18)
Hauptverfasser:	Velichko, A. V., Kudrynskyi, Z. R., Di Paola, D. M., Makarovsky, O., Kesaria, M., Krier, A., Sandall, I. C., Tan, C. H., Kovalyuk, Z. D., Patanè, A.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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