Fabrication of p-type porous GaN on silicon and epitaxial GaN

Porous GaN layers are grown on silicon from gold or platinum catalyst seed layers, and self-catalyzed on epitaxial GaN films on sapphire. Using a Mg-based precursor, we demonstrate p-type doping of the porous GaN. Electrical measurements for p-type GaN on Si show Ohmic and Schottky behavior from gol...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Applied physics letters 2013-09, Vol.103 (11)
Hauptverfasser:	Bilousov, O. V., Geaney, H., Carvajal, J. J., Zubialevich, V. Z., Parbrook, P. J., Giguère, A., Drouin, D., Díaz, F., Aguiló, M., O'Dwyer, C.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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