Multi-level resistive switching observations in asymmetric Pt/Ta2O5−x/TiOxNy/TiN/Ta2O5−x/Pt multilayer configurations

We examine multilevel (ML) resistance switching properties in a Pt/Ta2O5−x/TiOxNy/TiN/Ta2O5−x/Pt matrix, in which two bipolar resistive switching elements Pt/Ta2O5−x/TiOxNy and TiN/Ta2O5−x/Pt are anti-serially and electrically connected. The ML features for the three assigned, distinguishable resist...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Applied physics letters 2013-08, Vol.103 (6)
Hauptverfasser:	Rahm Lee, Ah, Cheol Bae, Yoon, Ho Baek, Gwang, Sik Im, Hyun, Pyo Hong, Jin
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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